KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheet SI7958DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 40 В, 11.3 А — Даташит

Vishay SI7958DP-T1-GE3

Наименование модели: SI7958DP-T1-GE3

6 предложений от 6 поставщиков
MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
AiPCBA
Весь мир
SI7958DP-T1-GE3
Vishay
127 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI7958DP-T1-GE3
Vishay
127 ₽
ТаймЧипс
Россия
SI7958DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Acme Chip
Весь мир
SI7958DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 40 В, 11.3 А

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7958DP
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.0165 at VGS = 10 V 0.020 at VGS = 4.5 V ID (A) 11.3 10.3

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 11.3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 20 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7958DPT1GE3, SI7958DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI7958DP-T1-GE3 - Vishay DUAL N CHANNEL MOSFET, 40 V, 11.3 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России