Datasheet SI7958DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 40 В, 11.3 А — Даташит
Наименование модели: SI7958DP-T1-GE3
6 предложений от 6 поставщиков MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8 | |||
SI7958DP-T1-GE3 Vishay | 127 ₽ | ||
SI7958DP-T1-GE3 Vishay | 127 ₽ | ||
SI7958DP-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI7958DP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 40 В, 11.3 А
Краткое содержание документа:
Si7958DP
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.0165 at VGS = 10 V 0.020 at VGS = 4.5 V ID (A) 11.3 10.3
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 11.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 20 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7958DPT1GE3, SI7958DP T1 GE3