Источники питания KEEN SIDE

Datasheet SI7960DP-T1-E3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 60 В, SOIC — Даташит

Vishay SI7960DP-T1-E3

Наименование модели: SI7960DP-T1-E3

9 предложений от 9 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8Pin PowerPAK SO T/R
ChipWorker
Весь мир
SI7960DP-T1-E3
Vishay
114 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI7960DP-T1-E3
Vishay
125 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
SI7960DP-T1-E3
Vishay
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
SI7960DP-T1-E3
по запросу
LED-драйверы – ключевые элементы современных световых и промышленных систем

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 60 В, SOIC

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 9.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 25 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7960DPT1E3, SI7960DP T1 E3

На английском языке: Datasheet SI7960DP-T1-E3 - Vishay DUAL N CHANNEL MOSFET, 60 V, SOIC

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка