Datasheet SI7960DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 60 В, 9.7 А — Даташит

Vishay SI7960DP-T1-GE3

Наименование модели: SI7960DP-T1-GE3

Купить SI7960DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 309 до 315 ₽ MOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC
AiPCBA Весь мир	SI7960DP-T1-GE3 Vishay	309 ₽
ChipWorker Весь мир	SI7960DP-T1-GE3 Vishay	315 ₽
Acme Chip Весь мир	SI7960DP-T1-GE3 Vishay	по запросу
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	SI7960DP-T1-GE3 Vishay	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 60 В, 9.7 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7960DP
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 60 RDS(on) () 0.021 at VGS = 10 V 0.025 at VGS = 4.5 V ID (A) 9.7 8.9

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 9.7 А
Drain Source Voltage Vds: 60 В
On Resistance Rds(on): 25 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7960DPT1GE3, SI7960DP T1 GE3