Datasheet SI7960DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 60 В, 9.7 А — Даташит
Наименование модели: SI7960DP-T1-GE3
![]() 11 предложений от 8 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8Pin PowerPAK SO T/R | |||
SI7960DP-T1-GE3 Vishay | 268 ₽ | ||
SI7960DP-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI7960DP-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI7960DP-T1-GE3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 60 В, 9.7 А
Краткое содержание документа:
Si7960DP
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 60 RDS(on) () 0.021 at VGS = 10 V 0.025 at VGS = 4.5 V ID (A) 9.7 8.9
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 9.7 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 25 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7960DPT1GE3, SI7960DP T1 GE3