Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet SI9926BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 6.2 А — Даташит

Vishay SI9926BDY-T1-GE3

Наименование модели: SI9926BDY-T1-GE3

8 предложений от 8 поставщиков
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC / Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
ChipWorker
Весь мир
SI9926BDY-T1-GE3
Vishay
164 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
SI9926BDY-T1-GE3
Vishay
по запросу
МосЧип
Россия
SI9926BDY-T1-GE3
Vishay
по запросу
727GS
Весь мир
SI9926BDY-T1-GE3
Vishay
по запросу
SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 6.2 А

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 20 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 600 мВ

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI9926BDYT1GE3, SI9926BDY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI9926BDY-T1-GE3 - Vishay DUAL N CHANNEL MOSFET, 20 V, 6.2 A

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка