Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet SI9926CDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, SOIC — Даташит

Vishay SI9926CDY-T1-GE3

Наименование модели: SI9926CDY-T1-GE3

34 предложений от 13 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 8А; Idm: 30А; 2Вт; SO8
AllElco Electronics
Весь мир
SI9926CDY-T1-GE3
от 11 ₽
ЧипСити
Россия
SI9926CDY-T1-GE3
Vishay
47 ₽
Эиком
Россия
SI9926CDY-T1-GE3
Vishay
от 91 ₽
SI9926CDY-T1-GE3
Vishay
от 92 ₽
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, SOIC

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 22 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 12 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI9926CDYT1GE3, SI9926CDY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI9926CDY-T1-GE3 - Vishay DUAL N CHANNEL MOSFET, 20 V, SOIC

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка