Datasheet SI9933CDY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 8SOIC — Даташит
Наименование модели: SI9933CDY-T1-E3
![]() 28 предложений от 14 поставщиков Двойной МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 4 А, 0.048 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
SI9933CDY-T1-E3 | от 6.57 ₽ | ||
SI9933CDY-T1-E3 Vishay | 14 ₽ | ||
SI9933CDY-T1-E3 Vishay | 27 ₽ | ||
SI9933CDY-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 8SOIC
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -4 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 0.048 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: SOIC
- Полярность транзистора: Dual P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -50°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 3.1 Вт
- RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI9933CDYT1E3, SI9933CDY T1 E3