Datasheet SI9936BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CH полевой транзистор — Даташит
Наименование модели: SI9936BDY-T1-GE3
![]() 6 предложений от 6 поставщиков Труба MOS, MOSFET 30V 6A 2W 35mohm @ 10V | |||
SI9936BDY-T1-GE3 Vishay | 30 ₽ | ||
SI9936BDY-T1-GE3 Vishay | 43 ₽ | ||
SI9936BDY-T1-GE3 | по запросу | ||
SI9936BDY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный N CH полевой транзистор
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 52 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI9936BDYT1GE3, SI9936BDY T1 GE3