Datasheet SI4804BDY - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI4804BDY
Купить SI4804BDY на РадиоЛоцман.Цены — от 27 до 95 ₽ 16 предложений от 13 поставщиков Mosfet Array 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SOIC | |||
| SI4804BDY-T1-E3 Vishay | от 27 ₽ | ||
| SI4804BDY-T1-GE3 Vishay | 43 ₽ | ||
| SI4804BDY-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
| SI4804BDY-T1 | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8
Скачать Data Sheet
Данные для моделированияСпецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 7.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 22 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 5.7 А
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- N-channel Gate Charge: 7nC
- On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel: 22 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 30 МОм
- On State resistance @ Vgs = 10V: 22 МОм
- Pulse Current Idm: 30 А
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
