Datasheet SI4804BDY - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8 — Даташит

Купить SI4804BDY на РадиоЛоцман.Цены — от 10 до 392 ₽ 17 предложений от 14 поставщиков Small Signal Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
AiPCBA Весь мир	SI4804BDY-T1-GE3 Vishay	38 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	SI4804BDY-T1-E3	от 61 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	SI4804BDY-T1	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	SI4804BDY-T1	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8

Скачать Data Sheet

Данные для моделирования

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 7.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 22 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 5.7 А
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• N-channel Gate Charge: 7nC
• On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel: 22 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 30 МОм
• On State resistance @ Vgs = 10V: 22 МОм
• Pulse Current Idm: 30 А
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть