Datasheet SI4925BDY - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SO-8 — Даташит

Купить SI4925BDY на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 405 ₽ 46 предложений от 26 поставщиков Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,7А; 2Вт; SO8
AllElco Electronics Весь мир	SI4925BDY-T1-E3	от 16 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	SI4925BDY-T1-E3 Vishay	от 113 ₽	Купить
Элитан Россия	SI4925BDY-T1-GE3 Vishay	125 ₽	Купить
Maybo Весь мир	SI4925BDY-T1-E3 Vishay	163 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4925BDY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.3 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 25 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
• Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: -5.3 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Fall Time tf: 34 нс
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 41 МОм
• On State resistance @ Vgs = 10V: 25 МОм
• P Channel Gate Charge: 33nC
• Pulse Current Idm: 40 А
• Rise Time: 12 нс
• Время выключения: 60 нс
• Время включения: 9 нс
• Voltage Vds Typ: -30 В
• Voltage Vgs Max: -20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть