Datasheet SI4966DY - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8 — Даташит

Купить SI4966DY на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 12 552 ₽ 23 предложений от 19 поставщиков MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 20V; RDS(ON) 0.019Ω; ID +/-7.1A; SO-8; PD 2W; VGS +/-1
AiPCBA Весь мир	SI4966DY-T1-E3 Vishay	85 ₽	Купить
Элитан Россия	SI4966DY-T1-E3 Vishay	454 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SI4966DY-T1-E3 Siliconix	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SI4966DY-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 7.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 25 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 7.1 А
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• N-channel Gate Charge: 25nC
• On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 35 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 25 МОм
• Pulse Current Idm: 40 А
• SMD Marking: SI4966DY
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: 12 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В

RoHS: есть