Datasheet SI9926BDY - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI9926BDY
Купить SI9926BDY на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 296 ₽ 20 предложений от 16 поставщиков МОП-транзистор NCH DUAL МОП-транзистор 2.5V (G-S) | |||
| SI9926BDY-T1-E3 Vishay | 15 ₽ | ||
| SI9926BDY-T1-E3 Vishay | от 55 ₽ | ||
| SI9926BDY-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
| SI9926BDY-T-1E3 | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Si9926BDY
New Product
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 20 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Power Dissipation Pd: 1.14 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 6.2 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- N-channel Gate Charge: 11nC
- On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 30 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 20 МОм
- Упаковка: Reel
- Pulse Current Idm: 30 А
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
