Datasheet SI1970DH-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, SC-70 — Даташит
Наименование модели: SI1970DH-T1-E3
![]() 10 предложений от 9 поставщиков MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 / Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 | |||
SI1970DH-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
SI1970DH-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
SI1970DH-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
SI1970DH-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, SC-70
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 225 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
- Power Dissipation Pd: 1.25 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-323
- Количество выводов: 6
- Current Id Max: 1.3 А
- Тип корпуса: SOT-323
- Способ монтажа: SMD
- Семейство: 1970
- N-channel Gate Charge: 1.15nC
- On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 345 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 225 МОм
- Pulse Current Idm: 4 А
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 1.6 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Max: 1.6 В
- Voltage Vgs th Min: 0.6 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
- Roth Elektronik - RE901
Варианты написания:
SI1970DHT1E3, SI1970DH T1 E3