Datasheet SI4565ADY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N/P, SO-8 — Даташит

Купить SI4565ADY-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 142 до 642 ₽ 9 предложений от 8 поставщиков MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC
Maybo Весь мир	SI4565ADY-T1-E3 Vishay	349 ₽	Купить
727GS Весь мир	SI4565ADY-T1-E3 Vishay	от 642 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	SI4565ADY-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SI4565ADY-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N/P, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4565ADY
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel 40 RDS(on) () 0.039 at VGS = 10 V 0.050 at VGS = 4.5 V 0.054 at VGS = - 10 V 0.072 at VGS = - 4.5 V ID (A)a 6.6 6.6 5.8 - 4.5 9 - 3.9 Qg (Typ.)

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N and P Channel
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 40 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.2 В
• Power Dissipation Pd: 3.1 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Current Id Max: 6.6 А
• Температура перехода минимальная: 150°C
• Тип корпуса: SO-8
• Способ монтажа: SMD
• Cont Current Id N Channel: 5.2 А
• Cont Current Id P Channel: 4.5 А
• On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel: 40 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 10V P Channel: 54 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel: 45 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel: 72 МОм
• Power Dissipation N Channel 2: 1.1 Вт
• Power Dissipation P Channel 2: 1.1 Вт
• Voltage Vds Typ: 40 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th N Channel 1 Min: 0.6 В
• Voltage Vgs th P Channel Max: 2.2 В
• Voltage Vgs th P Channel Min: 0.8 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4565ADYT1E3, SI4565ADY T1 E3