Datasheet SI4565ADY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N/P, SO-8 — Даташит

Vishay SI4565ADY-T1-E3

Наименование модели: SI4565ADY-T1-E3

Купить SI4565ADY-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены 8 предложений от 5 поставщиков Mosfet Array 40V 6.6A, 5.6A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Akcel Весь мир	SI4565ADY-T1-E3 Vishay	от 205 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	SI4565ADY-T1-E3 Siliconix	по запросу
LifeElectronics Россия	SI4565ADY-T1-E3 Vishay	по запросу
Flash-Turtle Весь мир	SI4565ADY-T1-E3 Vishay	по запросу

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N/P, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4565ADY
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel 40 RDS(on) () 0.039 at VGS = 10 V 0.050 at VGS = 4.5 V 0.054 at VGS = - 10 V 0.072 at VGS = - 4.5 V ID (A)a 6.6 6.6 5.8 - 4.5 9 - 3.9 Qg (Typ.)

Спецификации:

Module Configuration: Dual
Полярность транзистора: N and P Channel
Drain Source Voltage Vds: 40 В
On Resistance Rds(on): 40 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 2.2 В
Power Dissipation Pd: 3.1 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SOIC
Current Id Max: 6.6 А
Температура перехода минимальная: 150°C
Тип корпуса: SO-8
Способ монтажа: SMD
Cont Current Id N Channel: 5.2 А
Cont Current Id P Channel: 4.5 А
On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel: 40 МОм
On State Resistance @ Vgs = 10V P Channel: 54 МОм
On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel: 45 МОм
On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel: 72 МОм
Power Dissipation N Channel 2: 1.1 Вт
Power Dissipation P Channel 2: 1.1 Вт
Voltage Vds Typ: 40 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Voltage Vgs th N Channel 1 Min: 0.6 В
Voltage Vgs th P Channel Max: 2.2 В
Voltage Vgs th P Channel Min: 0.8 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4565ADYT1E3, SI4565ADY T1 E3