Datasheet SI4500BDY - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, LOGIC, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI4500BDY
Купить SI4500BDY на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 304 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков МОП-транзистор 20V 9.1/5.3A 2.5W 20/60mohm @ 4.5V | |||
| SI4500BDY-T1-E3 Vishay | 25 ₽ | ||
| SI4500BDY-T1-GE3 Vishay | 48 ₽ | ||
| SI4500BDY-E3 Vishay | по запросу | ||
| SI4500BDY-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, LOGIC, SO-8
Скачать Data Sheet
Данные для моделированияСпецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 9.1 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 20 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Power Dissipation Pd: 1.3 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 6.6 А
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Cont Current Id P Channel: 3.8 А
- N-channel Gate Charge: 11nC
- On State Resistance @ Vgs = 2.5V N Channel: 30 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 2.5V P Channel: 60 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel: 20 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel: 100 МОм
- On State Resistance N Channel Max: 20 МОм
- On State Resistance P Channel Max: 48 МОм
- P Channel Gate Charge: 6nC
- Pulse Current Idm: 30 А
- SMD Marking: SI4500BDY
- Voltage Vds N Channel 1: 20 В
- Voltage Vds P Channel 1: 20 В
- Voltage Vds P Channel Max: 20 В
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
RoHS: есть
