Datasheet SI4532ADY - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SO-8 — Даташит

Купить SI4532ADY на РадиоЛоцман.Цены — от 23 до 694 ₽ 30 предложений от 23 поставщиков Транзистор полевой SI4532ADY N/P-CH; 30V/-30V; 4,9;4,1A/-3,9;3,0A; SO-8
AiPCBA Весь мир	SI4532ADY-T1-GE3 Vishay	46 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	SI4532ADY-T1-E3 Vishay	от 164 ₽	Купить
Элитан Россия	SI4532ADY Vishay	240 ₽	Купить
МосЧип Россия	SI4532ADY-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4532ADY
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.9 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 53 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Power Dissipation Pd: 1.13 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 3.7 А
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Cont Current Id P Channel: 3 А
• N-channel Gate Charge: 8nC
• On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel: 53 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 10V P Channel: 80 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel: 75 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel: 135 МОм
• On State Resistance P Channel Max: 80 МОм
• P Channel Gate Charge: 10nC
• Pulse Current Idm: 20 А
• Voltage Vds N Channel 1: 30 В
• Voltage Vds P Channel 1: 30 В
• Voltage Vds P Channel Max: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть