Datasheet SI4532ADY - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI4532ADY
Купить SI4532ADY на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 374 ₽ 18 предложений от 15 поставщиков Транзистор МОП n/p-канальный 30/-30В 4.9 | |||
| SI4532ADY-T1-E3 Vishay | 32 ₽ | ||
| SI4532ADY-T1-GE3 Vishay | 50 ₽ | ||
| SI4532ADY Vishay | 374 ₽ | ||
| SI4532ADY-T1 Siliconix | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SO-8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Si4532ADY
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.9 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 53 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Power Dissipation Pd: 1.13 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 3.7 А
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Cont Current Id P Channel: 3 А
- N-channel Gate Charge: 8nC
- On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel: 53 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 10V P Channel: 80 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel: 75 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel: 135 МОм
- On State Resistance P Channel Max: 80 МОм
- P Channel Gate Charge: 10nC
- Pulse Current Idm: 20 А
- Voltage Vds N Channel 1: 30 В
- Voltage Vds P Channel 1: 30 В
- Voltage Vds P Channel Max: 30 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
