Datasheet SI4539ADY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NP, REEL 2500 — Даташит

Купить SI4539ADY-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 21 до 694 ₽ 10 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, SOIC N+P 30V 4.4A/3.7A
ChipWorker Весь мир	SI4539ADY-T1-E3 Vishay	21 ₽	Купить
Maybo Весь мир	SI4539ADY-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SI4539ADY-T1-E3	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	SI4539ADY-T1-E3	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NP, REEL 2500

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4539ADY
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.9 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 36 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 4.4 А
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Количество приборов в упаковке (ленте): 2500
• Способ монтажа: SMD
• Cont Current Id P Channel: 3.7 А
• N-channel Gate Charge: 13nC
• On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel: 36 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 10V P Channel: 53 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel: 53 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel: 90 МОм
• On State Resistance P Channel Max: 53 МОм
• P Channel Gate Charge: 15nC
• Pulse Current Idm: 30 А
• Ширина ленты: 12 мм
• Voltage Vds N Channel 1: 30 В
• Voltage Vds P Channel 1: 30 В
• Voltage Vds P Channel Max: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• BONKOTE - BON102
• Electrolube - SMA10SL
• Roth Elektronik - RE932-01

Варианты написания:

SI4539ADYT1E3, SI4539ADY T1 E3