Datasheet SI4542DY - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SO-8 — Даташит

Купить SI4542DY на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 4 329 ₽ 38 предложений от 27 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 6.9 А, 0.025 Ом, SOIC, Surface Mount
Lixinc Electronics Весь мир	SI4542DY-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить
Контест Россия	SI4542DY-T1-E3 Siliconix	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	SI4542DY Fairchild	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	Si4542DY	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SO-8

Спецификации:

• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 6.9 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 25 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 6.9 А
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Cont Current Id P Channel: 6.1 А
• N-channel Gate Charge: 30nC
• On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel: 25 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 10V P Channel: 32 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel: 35 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel: 45 МОм
• On State Resistance P Channel Max: 45 МОм
• P Channel Gate Charge: 32nC
• Pulse Current Idm: 40 А
• SMD Marking: SI4542DY
• Voltage Vds P Channel Max: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть