Datasheet SI4559EY - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI4559EY
Купить SI4559EY на РадиоЛоцман.Цены — от 30 до 177 ₽ 10 предложений от 7 поставщиков МОП-транзистор 60V 4.5/3.1A 2.4W 55/120mohm @ 10V | |||
| SI4559EY Vishay | от 30 ₽ | ||
| SI4559EY Vishay | 177 ₽ | ||
| SI4559EY-T1-GE3 | по запросу | ||
| SI4559EY-T1 | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SO-8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Si4559EY
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S), 175°C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.1 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 100 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Power Dissipation Pd: 2.4 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 4.5 А
- External Depth: 5.26 мм
- Внешняя длина / высота: 1.2 мм
- Внешняя ширина: 6.2 мм
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Cont Current Id N Channel 2: 4.5 А
- Cont Current Id P Channel: 3.1 А
- N-channel Gate Charge: 19nC
- On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel: 55 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 10V P Channel: 120 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel: 75 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel: 150 МОм
- P Channel Gate Charge: 16nC
- Pulse Current Idm: 30 А
- Voltage Vds: 60 В
- Voltage Vds P Channel Max: 60 В
RoHS: есть
