Datasheet SI4559EY - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SO-8 — Даташит

Купить SI4559EY на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 1 076 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков МОП-транзистор 60V 4.5/3.1A 2.4W 55/120mohm @ 10V
Lixinc Electronics Весь мир	SI4559EY-T1 Vishay	от 54 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	SI4559EY Vishay	162 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	SI4559EY	от 1 076 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	SI4559EY-T1	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4559EY
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S), 175°C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.1 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 100 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Power Dissipation Pd: 2.4 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 4.5 А
• External Depth: 5.26 мм
• Внешняя длина / высота: 1.2 мм
• Внешняя ширина: 6.2 мм
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Cont Current Id N Channel 2: 4.5 А
• Cont Current Id P Channel: 3.1 А
• N-channel Gate Charge: 19nC
• On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel: 55 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 10V P Channel: 120 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel: 75 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel: 150 МОм
• P Channel Gate Charge: 16nC
• Pulse Current Idm: 30 А
• Voltage Vds: 60 В
• Voltage Vds P Channel Max: 60 В

RoHS: есть