Datasheet SI4562DY - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SO-8 — Даташит

Купить SI4562DY на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 642 ₽ 23 предложений от 19 поставщиков Труба MOS, Dual n/p Channel Mosfet, 20V, 7.1A/-6.2A, Soic-8, Full Reel
Компонентс Ру Россия	SI4562DY-T1	от 387 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SI4562DY-T1-E3 Siliconix	по запросу	Купить
Контест Россия	SI4562DY Siliconix	по запросу	Купить
ЗУМ-СМД Россия	SI4562DY-T1 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SO-8

Спецификации:

• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 7.1 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 35 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 7.1 А
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Cont Current Id P Channel: 6.2 А
• N-channel Gate Charge: 25nC
• On State Resistance @ Vgs = 2.5V N Channel: 35 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 2.5V P Channel: 50 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel: 25 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel: 33 МОм
• On State Resistance P Channel Max: 50 МОм
• P Channel Gate Charge: 22nC
• Pulse Current Idm: 40 А
• SMD Marking: SI4562DY
• Voltage Vds P Channel Max: 20 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: 12 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В

RoHS: есть