Datasheet SI4936ADY - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI4936ADY
![]() 32 предложений от 19 поставщиков MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC / Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R | |||
SI4936ADY-T1-E3 | от 24 ₽ | ||
SI4936ADY-T1-E3 Vishay | от 158 ₽ | ||
SI4936ADY-T1-E3 Vishay | 187 ₽ | ||
SI4936ADY | 8 571 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8
Краткое содержание документа:
Si4936ADY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.4 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 36 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 4.4 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Fall Time tf: 5 нс
- N-channel Gate Charge: 13nC
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 53 МОм
- On State resistance @ Vgs = 10V: 36 МОм
- Pulse Current Idm: 30 А
- Rise Time: 14 нс
- Время выключения: 30 нс
- Время включения: 6 нс
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть