Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet SI4948BEY - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SO-8 — Даташит

Vishay SI4948BEY

Наименование модели: SI4948BEY

46 предложений от 24 поставщиков
Двойной МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 2.4 А, 0.1 Ом, SOIC, Surface Mount
SI4948BEY-T1-E3
Vishay
13 ₽
AliExpress
Весь мир
Si4943CDY Si4948BEY SOP8 Si4943CD Si4948BE Si4943 Si4948 Si4943C Si4948B высокое качество
20 ₽
Контест
Россия
SI4948BEY-T1-E3
по запросу
SI4948BEY
по запросу
Пленочные конденсаторы Hongfa для источников питания и силовой электроники (Материалы вебинара)

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 120 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
  • Power Dissipation Pd: 1.4 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: -2.4 А
  • Температура перехода максимальная: 175°C
  • Температура перехода минимальная: -55°C
  • Количество транзисторов: 2
  • Тип корпуса: SOIC
  • Способ монтажа: SMD
  • Fall Time tf: 35 нс
  • On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 150 МОм
  • On State resistance @ Vgs = 10V: 120 МОм
  • P Channel Gate Charge: 14.5nC
  • Pulse Current Idm: 25 А
  • Rise Time: 15 нс
  • Время выключения: 50 нс
  • Время включения: 10 нс
  • Voltage Vds Typ: -60 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SI4948BEY - Vishay MOSFET, DUAL, PP, SO-8

Электронные компоненты. Скидки 20%, кэшбэк 15% и бесплатная доставка от ТМ Электроникс
Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring