Datasheet SI4948BEY - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI4948BEY
![]() 44 предложений от 22 поставщиков Двойной МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 2.4 А, 0.1 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
SI4948BEY-T1-E3 | от 15 ₽ | ||
SI4948BEY-T1-E3 Vishay | от 89 ₽ | ||
SI4948BEY | 2 754 ₽ | ||
SI4948BEY-T1-GE3 Siliconix | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SO-8
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.4 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 120 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
- Power Dissipation Pd: 1.4 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: -2.4 А
- Температура перехода максимальная: 175°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SOIC
- Способ монтажа: SMD
- Fall Time tf: 35 нс
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 150 МОм
- On State resistance @ Vgs = 10V: 120 МОм
- P Channel Gate Charge: 14.5nC
- Pulse Current Idm: 25 А
- Rise Time: 15 нс
- Время выключения: 50 нс
- Время включения: 10 нс
- Voltage Vds Typ: -60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть