Datasheet SI4963BDY - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SO-8 — Даташит

Купить SI4963BDY на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 346 ₽ 43 предложений от 21 поставщиков Труба MOS, TRANSISTOR 4900mA, 20V, 2Channel, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Small Signal
Компонентс Ру Россия	SI4963BDY-T1-E3 Vishay	от 161 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	SI4963BDY-T1-E3 Vishay	от 167 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	Si4963BDY	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SI4963BDY-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SO-8

Скачать Data Sheet

Данные для моделирования

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.9 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 32 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
• Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: -4.9 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Fall Time tf: 55 нс
• On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 50 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 32 МОм
• P Channel Gate Charge: 14nC
• Pulse Current Idm: 40 А
• Rise Time: 40 нс
• Время выключения: 80 нс
• Время включения: 30 нс
• Voltage Vds Typ: -20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть