Datasheet SI7922DN - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, POWERPAK — Даташит

Купить SI7922DN на РадиоЛоцман.Цены — от 28 до 204 ₽ 27 предложений от 16 поставщиков Mosfet Array 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
ЧипСити Россия	SI7922DN-T1-E3 Vishay	28 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SI7922DN-T1-E3 Vishay	29 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	Si7922DN	по запросу	Купить
Океан Электроники Россия	SI7922DN_07 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, POWERPAK

Скачать Data Sheet

Данные для моделирования

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.8 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 162 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.5 В
• Power Dissipation Pd: 1.3 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PowerPAK SO
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 1.8 А
• Маркировка: SI7922DN
• External Depth: 5.15 мм
• Внешняя длина / высота: 1.07 мм
• Внешняя ширина: 6.15 мм
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 4.3 °C/Вт
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time tf: 11 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• N-channel Gate Charge: 5.2nC
• On State Resistance Max: 195 МОм
• Pulse Current Idm: 10 А
• Rise Time: 11 нс
• Время выключения: 8 нс
• Время включения: 7 нс
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 2.5 В

RoHS: есть