Datasheet SI9933BDY - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SO-8 — Даташит

Купить SI9933BDY на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 2 037 ₽ 28 предложений от 22 поставщиков Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench_ MOSFET_P-Ch -3.8 A, -20 V 2W. Исполнение: SOP-8
Maybo Весь мир	SI9933BDY-T1-E3 Vishay	216 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	SI9933BDY	2 037 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SI9933BDY-T1 Siliconix	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SI9933BDY-T1-E Philips	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si9933BDY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.06 at VGS = - 4.5 V 0.10 at VGS = - 2.5 V ID (A) - 4.7 - 3.7

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 60 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
• Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: -3.6 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 100 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 60 МОм
• P Channel Gate Charge: 6nC
• Pulse Current Idm: 40 А
• Voltage Vds Typ: -20 В
• Voltage Vgs Max: -12 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть