Datasheet BC847BVN - NXP Даташит Транзистор, NPN/PNP, SOT-666 — Даташит
Наименование модели: BC847BVN
![]() 39 предложений от 21 поставщиков Массив биполярных транзисторов, универсальный, NPN, PNP, 45 В, 100 мА, 200 мВт, 200 hFE, SOT-666 | |||
BC847BVN115 Rochester Electronics | 2.44 ₽ | ||
BC847BVN-7 Diodes | 24 ₽ | ||
BC847BVN,115 NXP | 39 ₽ | ||
BC847BVN NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, NPN/PNP, SOT-666
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: NPN / PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 В
- Power Dissipation Pd: 200 мВт
- DC Collector Current: 100 мА
- DC Current Gain: 200
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
- Тип корпуса: SOT-666
- Способ монтажа: SMD
- Collector Emitter Voltage Vces: 100 мВ
- Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА
- Current Ic Continuous a Max: 100 мА
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- DC Current Gain Min: 200
- Рассеиваемая мощность максимальная: 300 мВт
- Power Dissipation per device Max: 200 мВт
- SMD Marking: 13
- Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - SMA10SL
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7