Datasheet BC857BV - NXP Даташит Транзистор, PNP, SOT-666 — Даташит

Купить BC857BV на РадиоЛоцман.Цены — от 0.49 до 142 ₽ 35 предложений от 20 поставщиков Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,1А; 150мВт; SOT563
AiPCBA Весь мир	BC857BV Jiangsu Changjing	3.60 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	BC857BV_11 NXP	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	BC857BV T/R NXP	по запросу	Купить
ТаймЧипс Россия	BC857BV_09 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, PNP, SOT-666

Скачать Data Sheet

Данные для моделирования

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 В
• Power Dissipation Pd: 200 мВт
• DC Collector Current: -100 мА
• DC Current Gain: 200
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-666
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
• Тип корпуса: SOT-666
• Способ монтажа: SMD
• Collector Emitter Voltage Vces: -100 мВ
• Ток коллектора постоянный максимальный: 100 А
• Current Ic Continuous a Max: 100 А
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• DC Current Gain Min: 200
• Рассеиваемая мощность максимальная: 300 мВт
• Power Dissipation per device Max: 200 мВт
• SMD Marking: 3F
• Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Electrolube - SMA10SL
• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7