Datasheet BCM857BS - NXP Даташит Транзистор, MATCHED, SOT-363 — Даташит
Наименование модели: BCM857BS
![]() 60 предложений от 25 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Bipolar (BJT) Array Transistor, PNP, -45V, 300mW, -100mA, 200, SOT-363 | |||
BCM857BS-7-F Diodes | от 4.52 ₽ | ||
BCM857BS,115 Nexperia | от 33 ₽ | ||
BCM857BS115 NXP | по запросу | ||
BCM857BS NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, MATCHED, SOT-363
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 В
- Power Dissipation Pd: 300 мВт
- DC Collector Current: 100 мА
- DC Current Gain: 290
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Частота единичного усиления типовая: 250 МГц
- Тип корпуса: SOT-363
- Способ монтажа: SMD
- Collector Emitter Voltage Vces: -200 мВ
- Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА
- Current Ic Continuous a Max: 100 мА
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- DC Current Gain Min: 200
- Рассеиваемая мощность максимальная: 200 мВт
- Power Dissipation per device Max: 300 мВт
- SMD Marking: A9*
- Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - SMA10SL
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7