HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet BCM857BS - NXP Даташит Транзистор, MATCHED, SOT-363 — Даташит

NXP BCM857BS

Наименование модели: BCM857BS

54 предложений от 21 поставщиков
Массив биполярных транзисторов, универсальный, PNP, -45 В, -100 мА, 200 мВт, 290 hFE, SOT-363
Akcel
Весь мир
BCM857BS-7-F
Diodes
от 4.72 ₽
Utmel
Весь мир
BCM857BS-7-F
Diodes
от 4.88 ₽
ICdarom.ru
Россия
BCM857BS.115
Nexperia
от 12 ₽
ЧипСити
Россия
BCM857BS,115
NXP
30 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, MATCHED, SOT-363

data sheetСкачать Data Sheet

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 В
  • Power Dissipation Pd: 300 мВт
  • DC Collector Current: 100 мА
  • DC Current Gain: 290
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Частота единичного усиления типовая: 250 МГц
  • Тип корпуса: SOT-363
  • Способ монтажа: SMD
  • Collector Emitter Voltage Vces: -200 мВ
  • Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА
  • Current Ic Continuous a Max: 100 мА
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • DC Current Gain Min: 200
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 200 мВт
  • Power Dissipation per device Max: 300 мВт
  • SMD Marking: A9*
  • Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Electrolube - SMA10SL
  • LICEFA - V11-7-6-10
  • LICEFA - V11-7

На английском языке: Datasheet BCM857BS - NXP TRANSISTOR, MATCHED, SOT-363

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России