Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet CA3127M - Intersil Даташит Транзистор ARRAY — Даташит

Intersil CA3127M

Наименование модели: CA3127M

12 предложений от 12 поставщиков
High Frequency NPN Transistor Array
ЧипСити
Россия
CA3127M
Renesas
182 ₽
ChipWorker
Весь мир
CA3127M
Renesas
194 ₽
AiPCBA
Весь мир
CA3127M
Renesas
194 ₽
TradeElectronics
Россия
CA3127M96120
Intersil
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Intersil

Описание: Транзистор ARRAY

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
®
CA3127
Data Sheet June 5, 2006 FN662.5
High Frequency NPN Transistor Array
The CA3127 consists of five general purpose silicon NPN transistors on a common monolithic substrate.

Each of the completely isolated transistors exhibits low 1/f noise and a value of fT in excess of 1GHz, making the CA3127 useful from DC to 500MHz. Access is provided to each of the terminals for the individual transistors and a separate substrate connection has been provided for maximum application flexibility. The monolithic construction of the CA3127 provides close electrical and thermal matching of the five transistors.

Спецификации:

  • Module Configuration: Five
  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 15 В
  • Power Dissipation Pd: 85 мВт
  • DC Collector Current: 20 мА
  • DC Current Gain: 90
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +125°C
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 16
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Количество транзисторов: 5
  • Тип корпуса: SOIC
  • Способ монтажа: SMD
  • Current Ic Continuous a Max: 20 мА

На английском языке: Datasheet CA3127M - Intersil TRANSISTOR ARRAY

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России