На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet IMZ1AT108 - Rohm Даташит Полевой транзистор, NPNPNP, 50 В, SOT457 — Даташит

Rohm IMZ1AT108

Наименование модели: IMZ1AT108

34 предложений от 15 поставщиков
Массив биполярных транзисторов, двойной, NPN, PNP, 50 В, 150 мА, 300 мВт, 120 hFE, SOT-457
Элитан
Россия
IMZ1AT108
Rohm
3.22 ₽
AiPCBA
Весь мир
IMZ1AT108
4.06 ₽
Akcel
Весь мир
IMZ1AT108
Rohm
от 4.99 ₽
Utmel
Весь мир
IMZ1AT108
Rohm
от 5.22 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, NPNPNP, 50 В, SOT457

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
EMZ1 / UMZ1N / IMZ1A
Transistors
General purpose transistor (dual transistors)
EMZ1 / UMZ1N / IMZ1A
Features 1) Both a 2SA1037AK chip and 2SC2412K chip in a EMT or UMT or SMT package.

2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half.

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Collector Emitter Voltage Vces: 400 мВ
  • Current Ic Continuous a Max: 50 мА
  • DC Collector Current: 150 мА
  • DC Current Gain Min: 120
  • DC Current Gain: 120
  • Module Configuration: Dual
  • Transition Frequency Typ ft: 180 МГц
  • Количество выводов: 6
  • Корпус транзистора: SOT-457
  • Полярность транзистора: NPN / PNP
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 300 мВт
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип корпуса: SOT-457
  • Тип транзистора: General Purpose
  • Частота единичного усиления типовая: 180 МГц
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

На английском языке: Datasheet IMZ1AT108 - Rohm MOSFET, NPNPNP, 50 V, SOT457

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России