Datasheet NTE912 - NTE Electronics Даташит Транзистор ARRAY, NPN — Даташит

Купить NTE912 на РадиоЛоцман.Цены — от 391 до 47 714 ₽ 26 предложений от 10 поставщиков Integrated Circuit General Purpose Transistor Array (Three Isolated Transistors and One Differentially-Connected Transistor Pair)
ЭИК Россия	NTE912	от 1 835 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	NTE912 NTE Electronics	от 2 127 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	NTE912 NTE Electronics	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTE912	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Транзистор ARRAY, NPN

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE912 Integrated Circuit General Purpose Transistor Array
(Three Isolated Transistors and One Differentially­Connected Transistor Pair) Description: The NTE912 consists of five general­purpose silicon NPN transistors on a common monolithic substrate in a 14­Lead DIP type package.

Two of the transistors are internally connected to form a differentially­connected pair. The transistors of the NTE912 are well suited to a wide variety of applications in low power systems in the DC through VHF range. They may be used as discrete transistors in conventional circuits. However, in addition, they provide the very significant inherent integrated circuit advantages of close electrical and thermal matching. Features: D Two Matched Pairs of Transistors: VBE matched ±5mV Input Offset Current 2µA Max. @ IC = 1mA D 5 General Purpose Monolithic Transistors D Operation from DC to 120MHz D Wide Operating Current Range D Low Noise Figure: 3.2dB Typ @ 1kHz Applications: D General Use In All Types of Signal

Спецификации:

• Module Configuration: Five
• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 24 В
• Power Dissipation Pd: 750 мВт
• DC Collector Current: 50 мА
• DC Current Gain: 100
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +125°C
• Корпус транзистора: DIP
• Количество выводов: 14
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Маркировка: NTE912
• Частота единичного усиления типовая: 550 МГц
• Количество транзисторов: 3
• Тип корпуса: DIP
• Способ монтажа: Radial Leaded
• Current Ic Continuous a Max: 50 мА

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Multicomp - 2227MC-14-03-10-F1