Datasheet PBSS2515VS - NXP Даташит Транзистор, NPN, SOT-666 — Даташит
Наименование модели: PBSS2515VS
![]() 37 предложений от 21 поставщиков Массив биполярных транзисторов, универсальный, NPN, 15 В, 500 мА, 200 мВт, 200 hFE, SOT-666 | |||
PBSS2515VS,115 Nexperia | от 3.19 ₽ | ||
PBSS2515VS,115 Nexperia | от 19 ₽ | ||
PBSS2515VS,115 Nexperia | 36 ₽ | ||
PBSS2515VS 115 Philips | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, NPN, SOT-666
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 15 В
- Power Dissipation Pd: 200 мВт
- DC Collector Current: 500 мА
- DC Current Gain: 200
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Частота единичного усиления типовая: 420 МГц
- Тип корпуса: SOT-666
- Способ монтажа: SMD
- Collector Emitter Voltage Vces: 25 мВ
- Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
- Current Ic Continuous a Max: 500 мА
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- DC Current Gain Min: 200
- Рассеиваемая мощность максимальная: 300 мВт
- Power Dissipation per device Max: 200 мВт
- SMD Marking: N9
- Обратный ток перехода база-коллектор: 15 В
RoHS: есть