Datasheet PUMB11 - NXP Даташит Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363 — Даташит
Наименование модели: PUMB11
![]() 70 предложений от 29 поставщиков TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP. Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP. Transistors... | |||
PUMB11,115 NXP | 6.09 ₽ | ||
PUMB11,135 NXP | 79 ₽ | ||
PUMB11,135 NXP | по запросу | ||
PUMB11T/R NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Power Dissipation Pd: 200 мВт
- DC Collector Current: -100 мА
- DC Current Gain: 30
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SOT-363
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Bias Resistor (BRT)
- Collector Emitter Voltage Vces: -150 мВ
- Ток коллектора постоянный максимальный: 100 А
- Current Ic Continuous a Max: 100 А
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- DC Current Gain Min: 30
- Рассеиваемая мощность максимальная: 300 мВт
- Resistance R1: 10 кОм
- Resistance R2: 10 кОм
- Обратный ток перехода база-коллектор: -50 В
RoHS: есть