Datasheet ZHB6718 - Diodes Даташит Транзистор ARRAY, H-BRIDGE — Даташит

Купить ZHB6718 на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 9 591 ₽ 32 предложений от 17 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans GP BJT NPN/PNP 20V 2.5A Automotive 8Pin SM8 T/R
ChipWorker Весь мир	ZHB6718TA Diodes	14 ₽	Купить
727GS Весь мир	ZHB6718TA Diodes	от 63 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	ZHB6718TA	9 591 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	ZHB6718TC Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор ARRAY, H-BRIDGE

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SM-8 BIPOLAR TRANSISTOR H-BRIDGE
PRELIMINARY DATA SHEET ISSUE B - JULY 1997 FEATURES * Compact package * Low on state losses * Low drive requirements * Operates up to 20V supply * 2.5 Amp continuous rating PARTMARKING DETAIL ZHB6718
ZHB6718
SM-8 (8 LEAD SOT223)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

Спецификации:

• Module Configuration: Quad
• Полярность транзистора: NPN / PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 20 В
• Transition Frequency Typ ft: 140 МГц
• Рассеиваемая мощность: 2 Вт
• DC Collector Current: 2.5 А
• DC Current Gain: 450
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SM
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Av Current Ic: 2.5 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 15 мВ
• Ток коллектора постоянный максимальный: 2.5 А
• Current Ic @ Vce Sat: 1 А
• Current Ic Continuous a Max: 2.5 А
• Current Ic Hfe PNP Device: 100 мА
• Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц
• Частота единичного усиления типовая: 140 МГц
• DC Current Gain Min: 180
• Hfe NPN Device @ IC Min: 300
• Hfe PNP Device @ IC Min: 300
• Тип корпуса: SM-8
• Рассеиваемая мощность максимальная: 2 Вт
• Pulsed Current Icm: 6 А
• SMD Marking: ZHB6718
• Saturation Current Ic: 1 А
• Способ монтажа: SMD
• Обратный ток перехода база-коллектор: 20 В
• Voltage Vce Sat @ Ic NPN Max: 150 мВ
• Voltage Vce Sat @ Ic PNP Max: 200 мВ

RoHS: есть