Datasheet MC1413BDR2G - ON Semiconductor Даташит Составной транзистор Дарлингтона ARRAY, NPN, 7, 50 В, SOIC — Даташит

Купить MC1413BDR2G на РадиоЛоцман.Цены — от 7.20 до 100 ₽ 61 предложений от 25 поставщиков Массив биполярных транзисторов, NPN, 1.1 В, 500 мА, 1000 hFE, SOIC
T-electron Россия и страны СНГ	MC1413BDR2G ON Semiconductor	11 ₽	Купить
Триема Россия	MC1413BDR2G ON Semiconductor	35 ₽	Купить
РИВ Электроникс Россия	MC1413BDR2G ON Semiconductor	от 37 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	MC1413BDR2G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Составной транзистор Дарлингтона ARRAY, NPN, 7, 50 В, SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MC1413, MC1413B, NCV1413B High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays
The seven NPN Darlington connected transistors in these arrays are well suited for driving lamps, relays, or printer hammers in a variety of industrial and consumer applications.

Their high breakdown voltage and internal suppression diodes insure freedom from problems associated with inductive loads. Peak inrush currents to 500 mA permit them to drive incandescent lamps. The MC1413, B with a 2.7 kW series input resistor is well suited for systems utilizing a 5.0 V TTL or CMOS Logic.
Features http://onsemi.com
16 1
PDIP-16 P SUFFIX CASE 648

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.1 В
• DC Collector Current: 500 мА
• DC Current Gain Max (hfe): 1000
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +85°C
• Количество выводов: 16
• Количество транзисторов: 7

RoHS: есть