Datasheet MJB45H11T4G - ON Semiconductor Даташит Мощность транзистор, PNP, -80 В, D2-PAK — Даташит
Наименование модели: MJB45H11T4G
![]() 47 предложений от 22 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные | |||
MJB45H11T4G | 104 ₽ | ||
MJB45H11T4G ON Semiconductor | 159 ₽ | ||
MJB45H11T4G ON Semiconductor | от 745 ₽ | ||
MJB45H11T4G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Мощность транзистор, PNP, -80 В, D2-PAK
Краткое содержание документа:
MJB44H11 (NPN), MJB45H11 (PNP)
Preferred Devices
Complementary Power Transistors
D2PAK for Surface Mount
http://onsemi.com
Спецификации:
- Полярность транзистора: Dual N & P Channel
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
- Transition Frequency Typ ft: 40 МГц
- Power Dissipation Pd: 50 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
RoHS: есть