Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet MJB45H11T4G - ON Semiconductor Даташит Мощность транзистор, PNP, -80 В, D2-PAK — Даташит

ON Semiconductor MJB45H11T4G

Наименование модели: MJB45H11T4G

27 предложений от 14 поставщиков
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А
MJB45H11T4G
ON Semiconductor
27 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
MJB45H11T4G
ON Semiconductor
54 ₽
Триема
Россия
MJB45H11T4G
ON Semiconductor
96 ₽
ЭИК
Россия
MJB45H11T4G
ON Semiconductor
от 112 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Мощность транзистор, PNP, -80 В, D2-PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJB44H11 (NPN), MJB45H11 (PNP)
Preferred Devices
Complementary Power Transistors
D2PAK for Surface Mount
http://onsemi.com

Спецификации:

  • Полярность транзистора: Dual N & P Channel
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
  • Transition Frequency Typ ft: 40 МГц
  • Power Dissipation Pd: 50 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MJB45H11T4G - ON Semiconductor POWER TRANSISTOR, PNP, -80 V, D2-PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России