Datasheet MJD2955T4G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, сдвоенный N/P CH 60 В — Даташит

Наименование модели: MJD2955T4G
41 предложений от 18 поставщиков TRANS PNP 60V 10A DPAK. Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 10A 2MHz 1.75W Surface Mount DPAK. Transistors - Bipolar (BJT) -... | |||
| MJD2955T4G ON Semiconductor | от 21 ₽ | ||
| MJD2955T4G ON Semiconductor | по запросу | ||
| MJD2955T4G ON Semiconductor | по запросу | ||
| MJD2955T4G | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Биполярный транзистор, сдвоенный N/P CH 60 В
Краткое содержание документа:
MJD2955 (PNP) MJD3055 (NPN) Complementary Power Transistors
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
Features http://onsemi.com
· Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves · · · · · · ·
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN & PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
- Transition Frequency Typ ft: 2 МГц
- Power Dissipation Pd: 20 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Количество выводов: 3
RoHS: есть






