Datasheet NTE52 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, NPN, 450 В — Даташит
Наименование модели: NTE52
![]() 21 предложений от 9 поставщиков Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT | |||
NTE52 | от 125 ₽ | ||
NTE52 | от 1 046 ₽ | ||
NTE52 NTE Electronics | от 1 147 ₽ | ||
NTE52 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Биполярный транзистор, NPN, 450 В
Краткое содержание документа:
NTE52 Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch
Description: The NTE52 is a silicon NPN transistor in a TO3 type package designed for high voltage, highspeed power switching in inductive circuits where fall time is critical.
This device is particularly suited for lineoperated switchmode appliations. Applications: D Switching Regulators D Motor Controls D Inverters D Solenoid and Relay Drivers Features: D Fast TurnOff Times: 100ns Inductive Fall Time @ +25°C (Typ) 150ns Inductive Crossover Time @ +25°C (Typ) 400ns Inductive Storage Time @ +25°C (Typ) D Operating Temperature Range: 65° to +200°C Absolute Maximum Ratings: CollectorEmitter Voltage, VCEO(sus) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450V CollectorEmitter Voltage, VCEV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750V EmitterBase Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 450 В
- Power Dissipation Pd: 125 Вт
- DC Collector Current: 5 А
- DC Current Gain Max (hfe): 8
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +200°C
RoHS: есть