Datasheet NTE916 - NTE Electronics Даташит Транзистор Array ИС — Даташит

Купить NTE916 на РадиоЛоцман.Цены — от 564 до 91 186 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, PDIP NPN 16V 0.1A
ЧипСити Россия	NTE916 NTE Electronics	909 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE916 NTE Electronics	967 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	NTE916	91 186 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	NTE916BULK NTE Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Транзистор Array ИС

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE916 Integrated Circuit High Current, NPN Transistor Array, Common Emitter
Description: The NTE916 is a high current transistor array in a 16­Lead DIP type package consisting of seven silicon NPN transistors on a common monolithic substrate connected in a common­emitter configuration designed for directly driving seven­segment displays and light­emitting diodes (LED) displays.

This device is also well suited for a variety of other drive applications including relay control and thyristor firing. Features: D Seven Transistors Permit a Wide Range of Applications D High Collector Current: IC = 100mA Max D Low Collector­Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 400mV Typ @ 50mA Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Power Dissipation (Total Package), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750mW Per Transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Тип корпуса: 16-DIP
• Module Configuration: Seven
• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 16 В
• Power Dissipation Pd: 750 мВт
• DC Collector Current: 100 мА
• DC Current Gain: 40
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +125°C
• Корпус транзистора: DIP
• Количество выводов: 16
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Количество транзисторов: 7
• Способ монтажа: Through Hole
• Current Ic Continuous a Max: 100 мА