Datasheet PMP5501V - NXP Даташит Транзистор, сдвоенный, PNP, SOT-666 — Даташит

Купить PMP5501V на РадиоЛоцман.Цены — от 2.51 до 412 ₽ 37 предложений от 17 поставщиков Транзистор: PNP x2; биполярный; 45В; 0,1А; 200мВт; SOT666
ТМ Электроникс Россия	PMP5501V,115 Nexperia	от 18 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	PMP5501V115 NXP	20 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	PMP5501V NXP	по запросу	Купить
Контест Россия	PMP5501V NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, сдвоенный, PNP, SOT-666

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMP5501V; PMP5501G; PMP5501Y
PNP/PNP matched double transistors
Rev.

03 -- 28 August 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 В
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-666
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц
• Частота единичного усиления типовая: 175 МГц
• Тип корпуса: SOT-666
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: General Purpose
• Collector Emitter Voltage Vces: -200 мВ
• Current Ic Continuous a Max: 100 мА
• DC Current Gain: 2 мА
• DC Current Gain Min: 200
• Power Dissipation Pd: 200 мВт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 200 мВт
• Power Dissipation per device Max: 300 мВт
• SMD Marking: ED
• Обратный ток перехода база-коллектор: 45 В

RoHS: есть