Datasheet PMP5501V - NXP Даташит Транзистор, сдвоенный, PNP, SOT-666 — Даташит
Наименование модели: PMP5501V
![]() 38 предложений от 18 поставщиков Транзистор: PNP x2; биполярный; 45В; 0,1А; 200мВт; SOT666 | |||
PMP5501V,115 Nexperia | от 6.95 ₽ | ||
PMP5501V NXP | 18 ₽ | ||
PMP5501V,115 Nexperia | от 21 ₽ | ||
PMP5501V,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, сдвоенный, PNP, SOT-666
Краткое содержание документа:
PMP5501V; PMP5501G; PMP5501Y
PNP/PNP matched double transistors
Rev.
03 -- 28 August 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 В
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц
- Частота единичного усиления типовая: 175 МГц
- Тип корпуса: SOT-666
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
- Collector Emitter Voltage Vces: -200 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 100 мА
- DC Current Gain: 2 мА
- DC Current Gain Min: 200
- Power Dissipation Pd: 200 мВт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 200 мВт
- Power Dissipation per device Max: 300 мВт
- SMD Marking: ED
- Обратный ток перехода база-коллектор: 45 В
RoHS: есть