Datasheet PBSS3515VS - NXP Даташит Транзистор, PNP, SOT-666 — Даташит
Наименование модели: PBSS3515VS
![]() 34 предложений от 18 поставщиков Биполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-7 | |||
PBSS3515VS,115 Nexperia | от 3.19 ₽ | ||
PBSS3515VS.115 Nexperia | 6.79 ₽ | ||
PBSS3515VS,115 NXP | от 7.33 ₽ | ||
PBSS3515VS T/R | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, PNP, SOT-666
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 15 В
- Power Dissipation Pd: 200 мВт
- DC Collector Current: -500 мА
- DC Current Gain: 200
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Частота единичного усиления типовая: 280 МГц
- Тип корпуса: SOT-666
- Способ монтажа: SMD
- Collector Emitter Voltage Vces: -25 мВ
- Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
- Current Ic Continuous a Max: 500 мА
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- DC Current Gain Min: 200
- Рассеиваемая мощность максимальная: 300 мВт
- Power Dissipation per device Max: 200 мВт
- SMD Marking: 35
- Обратный ток перехода база-коллектор: 15 В
RoHS: есть