Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet PUMH18 - NXP Даташит Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363 — Даташит

NXP PUMH18

Наименование модели: PUMH18

35 предложений от 17 поставщиков
Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм, 10 кОм
PUMH18,115
NXP
1.19 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
PUMH18,115
NXP
2.12 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
PUMH18,115
Nexperia
по запросу
Acme Chip
Весь мир
PUMH18
Nexperia
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Количество транзисторов: 2
  • Тип корпуса: SOT-363
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Bias Resistor (BRT)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 100 мВ
  • Ток коллектора постоянный максимальный: 100 А
  • Current Ic Continuous a Max: 100 А
  • DC Current Gain: 10 мА
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • DC Current Gain Min: 50
  • Power Dissipation Pd: 200 мВт
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 300 мВт
  • Resistance R1: 10 кОм
  • Resistance R1 PNP: 10 кОм
  • Resistance R2: 10 кОм
  • Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PUMH18 - NXP TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России