Datasheet ZHB6790 - Diodes Даташит Транзистор ARRAY, H-BRIDGE — Даташит

Купить ZHB6790 на РадиоЛоцман.Цены — от 66 до 10 981 ₽ 30 предложений от 16 поставщиков Транзистор: NPN / PNP x2; биполярный; 40В; 2А; 2Вт; SM8; Н мост
ЧипСити Россия	ZHB6790TA Diodes	66 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	ZHB6790TA Diodes	69 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	ZHB6790TAPB Diodes	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	ZHB6790TC Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор ARRAY, H-BRIDGE

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SM-8 BIPOLAR TRANSISTOR H-BRIDGE
PRELIMINARY DATA SHEET ISSUE B JULY 1997 FEATURES * Compact package * Low on state losses * Low drive requirements * Operates up to 40V supply * 2 Amp continuous rating PARTMARKING DETAIL ZHB6790
ZHB6790
SM-8 (8 LEAD SOT223)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

Спецификации:

• Module Configuration: Quad
• Полярность транзистора: NPN / PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• DC Collector Current: 2 А
• DC Current Gain: 500
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SM
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц
• Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
• Тип корпуса: SM-8
• Способ монтажа: SMD
• Av Current Ic: 2 А
• Collector Emitter Voltage Vces: -140 мВ
• Ток коллектора постоянный максимальный: 6 А
• Current Ic @ Vce Sat: 1 А
• Current Ic Continuous a Max: 6 А
• Current Ic Hfe PNP Device: 100 мА
• DC Current Gain Min: 150
• Hfe NPN Device @ IC Min: 500
• Hfe PNP Device @ IC Min: 300
• Рассеиваемая мощность максимальная: 2 Вт
• Pulsed Current Icm: 6 А
• SMD Marking: ZHB6790
• Saturation Current Ic: 1 А
• Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В
• Voltage Vce Sat @ Ic NPN Max: 500 мВ
• Voltage Vce Sat @ Ic PNP Max: 450 мВ

RoHS: есть