Datasheet FCB36N60NTM - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 36 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: FCB36N60NTM
![]() 29 предложений от 16 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 36 А, 0.081 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | |||
FCB36N60NTM ON Semiconductor | 523 ₽ | ||
FCB36N60NTM ON Semiconductor | 986 ₽ | ||
FCB36N60NTM ON Semiconductor | от 1 460 ₽ | ||
FCB36N60NTM ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 36 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
FCB36N60N N-Channel MOSFET
SupreMOSTM
September 2010
FCB36N60N
N-Channel MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 36 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.081 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 312 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть