Datasheet FCD9N60NTM - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 9 А, DPAK — Даташит
Наименование модели: FCD9N60NTM
![]() 21 предложений от 12 поставщиков Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 600V 9A DPAK | |||
FCD9N60NTM ON Semiconductor | от 29 ₽ | ||
FCD9N60NTM ON Semiconductor | 148 ₽ | ||
FCD9N60NTM ON Semiconductor | 212 ₽ | ||
FCD9N60NTM ON Semiconductor | 423 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 9 А, DPAK
Краткое содержание документа:
FCD9N60NTM 600V N-Channel MOSFET
FCD9N60NTM
N-Channel MOSFET
600V, 9A, 0.385 Features
· RDS(on) = 0.330 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 4.5A · Ultra low gate charge ( Typ.
Qg = 22nC) · Low effective output capacitance · 100% avalanche tested · RoHS compliant
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 9 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.33 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 83.3 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть