Datasheet FGB20N60SF - Fairchild Даташит IGBT, N CH, 600 В, 20 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: FGB20N60SF
![]() 24 предложений от 16 поставщиков FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGB20N60SF IGBT Single Transistor, General Purpose, 20 A, 600 V, 208 W, 600 V, TO-263, 3 Pins | |||
FGB20N60SF ON Semiconductor | от 57 ₽ | ||
FGB20N60SF ON Semiconductor | 111 ₽ | ||
FGB20N60SF | 9 797 ₽ | ||
FGB20N60SF ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: IGBT, N CH, 600 В, 20 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
FGB20N60SF 600V, 20A Field Stop IGBT
October 2010
FGB20N60SF
600V, 20A Field Stop IGBT
Features
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 20 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 600 В
- Рассеиваемая мощность: 208 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Рассеиваемая мощность максимальная: 208 Вт
RoHS: есть