DC-DC преобразователи KEEN SIDE

Datasheet BQ4011YMA-100 - Texas Instruments Даташит ИС, NVSRAM, 256KBIT, 100 нс, DIP-28 — Даташит

Texas Instruments BQ4011YMA-100

Наименование модели: BQ4011YMA-100

15 предложений от 15 поставщиков
IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP. NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 100ns 28-DIP Module (18.42x37.72). Memory
Lixinc Electronics
Весь мир
BQ4011YMA-100
Texas Instruments
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
BQ4011YMA-100
Texas Instruments
по запросу
SUV System
Весь мир
BQ4011YMA-100
Texas Instruments
по запросу
Augswan
Весь мир
BQ4011YMA-100
Texas Instruments
по запросу
Выбираем оптимальный датчик влажности: обзор решений Winsen, HOPERF, Novosense и других компаний

Подробное описание

Производитель: Texas Instruments

Описание: ИС, NVSRAM, 256KBIT, 100 нс, DIP-28

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Not Recommended For New Designs bq4011/Y/LY
www.ti.com
SLUS118A ­ MAY 1999 ­ REVISED MAY 2007
32 k Ч 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)
FEATURES

Спецификации:

  • Размер памяти: 256Kbit
  • Конфигурация памяти: 32K x 8
  • NVRAM Features: внутренний Battery
  • Access Time: 100 нс
  • Диапазон напряжения питания: 4.5 В ...

    5.5 В

  • Memory Case Style: DIP
  • Количество выводов: 28

RoHS: есть

Варианты написания:

BQ4011YMA100, BQ4011YMA 100

На английском языке: Datasheet BQ4011YMA-100 - Texas Instruments IC, NVSRAM, 256KBIT, 100 ns, DIP-28

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка