Datasheet BQ4011YMA-100 - Texas Instruments Даташит ИС, NVSRAM, 256KBIT, 100 нс, DIP-28 — Даташит

Наименование модели: BQ4011YMA-100
15 предложений от 15 поставщиков IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP. NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 100ns 28-DIP Module (18.42x37.72). Memory | |||
| BQ4011YMA-100 Texas Instruments | по запросу | ||
| BQ4011YMA-100 Texas Instruments | по запросу | ||
| BQ4011YMA-100 Texas Instruments | по запросу | ||
| BQ4011YMA-100 Texas Instruments | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Texas Instruments
Описание: ИС, NVSRAM, 256KBIT, 100 нс, DIP-28
Краткое содержание документа:
Not Recommended For New Designs bq4011/Y/LY
www.ti.com
SLUS118A MAY 1999 REVISED MAY 2007
32 k Ч 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)
FEATURES
Спецификации:
- Размер памяти: 256Kbit
- Конфигурация памяти: 32K x 8
- NVRAM Features: внутренний Battery
- Access Time: 100 нс
- Диапазон напряжения питания: 4.5 В ...
5.5 В
- Memory Case Style: DIP
- Количество выводов: 28
RoHS: есть
Варианты написания:
BQ4011YMA100, BQ4011YMA 100






