Datasheet BQ4011YMA-100 - Texas Instruments Даташит ИС, NVSRAM, 256KBIT, 100 нс, DIP-28 — Даташит
Наименование модели: BQ4011YMA-100
![]() 15 предложений от 14 поставщиков Микросхема Флеш-память, NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28Pin DIP Module | |||
BQ4011YMA-100 Texas Instruments | 1 814 ₽ | ||
BQ4011YMA-100 Texas Instruments | 2 108 ₽ | ||
BQ4011YMA-100N Texas Instruments | по запросу | ||
BQ4011YMA-100 Texas Instruments | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Texas Instruments
Описание: ИС, NVSRAM, 256KBIT, 100 нс, DIP-28
Краткое содержание документа:
Not Recommended For New Designs bq4011/Y/LY
www.ti.com
SLUS118A MAY 1999 REVISED MAY 2007
32 k Ч 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)
FEATURES
Спецификации:
- Размер памяти: 256Kbit
- Конфигурация памяти: 32K x 8
- NVRAM Features: внутренний Battery
- Access Time: 100 нс
- Диапазон напряжения питания: 4.5 В ...
5.5 В
- Memory Case Style: DIP
- Количество выводов: 28
RoHS: есть
Варианты написания:
BQ4011YMA100, BQ4011YMA 100