Datasheet IRG7PH35UD1PBF - International Rectifier Даташит IGBT, N CH, диод, 1200 В, 50 А, TO-247AC — Даташит
Наименование модели: IRG7PH35UD1PBF
![]() 14 предложений от 13 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 179000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | |||
IRG7PH35UD1PBF International Rectifier | 81 ₽ | ||
IRG7PH35UD1PBF Infineon | 199 ₽ | ||
IRG7PH35UD1PBF, IGBT 1200В 25А 8-30кГц TO247AC Infineon | 585 ₽ | ||
IRG7PH35UD1PBF International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: IGBT, N CH, диод, 1200 В, 50 А, TO-247AC
Краткое содержание документа:
PD - 97455
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS
IRG7PH35UD1PbF IRG7PH35UD1-EP
VCES = 1200V I NOMINAL = 20A
Features
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 50 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.9 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-247AC
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Рассеиваемая мощность максимальная: 179 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- MULTICORE (SOLDER) - 1399075-M
- Weller - 0051383199