Datasheet MBR10H100CTG - ON Semiconductor Даташит Диод, Шоттки, 10 А, 100 В, TO-220 — Даташит

Купить MBR10H100CTG на РадиоЛоцман.Цены — от 36 до 159 ₽ 17 предложений от 13 поставщиков Массив диода, Diode Schottky 100V 5A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Lixinc Electronics Весь мир	MBR10H100CTG Rochester Electronics	36 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	MBR10H100CTG ON Semiconductor	36 ₽	Купить
Эиком Россия	MBR10H100CTG ON Semiconductor	114 ₽	Купить
Maybo Весь мир	MBR10H100CTG Rochester Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Диод, Шоттки, 10 А, 100 В, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MBR10H100CT SWITCHMODE] Power Rectifier 100 V, 10 A
Features and Benefits
· · · · · · ·
Low Forward Voltage: 0.61 V @ 125°C Low Power Loss/High Efficiency High Surge Capacity 175°C Operating Junction Temperature 10 A Total (5.0 A Per Diode Leg) Guard-Ring for Stress Protection Pb-Free Package is Available
http://onsemi.com

Данные для моделирования

Спецификации:

• Diode Configuration: Dual Common Cathode
• Diode Type: Schottky
• Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 100 В
• Forward Current If(AV): 10 А
• Forward Voltage VF Max: 850 мВ
• Forward Surge Current Ifsm Max: 180 А
• Тип корпуса: TO-220
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Температура перехода максимальная: 175°C
• Способ монтажа: Through Hole
• Current Ifsm: 180 А
• Current Ir Max: 3.5 мкА
• Forward Voltage: 730 мВ

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
• Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
• Taiwan Semiconductor - MBRF10H100CT